کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
10670610 1008868 2019 5 صفحه PDF سفارش دهید دانلود کنید
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Two Gaussian distributions of the barrier height in chemical vapor deposition diamond/silicon junctions over a wide temperature range
ترجمه فارسی عنوان
دو توزیع گاوسیونی از ارتفاع مانع در اتصالات الماس / سیلیکون رسوبات شیمیایی در یک محدوده دما گسترده است
کلمات کلیدی
فیلم های الماس، خواص الکتریکی و اندازه گیری، دیودهای شاتکی، رابط الکترونیکی خواص، دستگاه های انتشار میدان،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Analysis of the current-voltage characteristics of a chemical vapor deposition diamond/n+-Si junction for the temperature range 120-400 K revealed atypical temperature dependence for both the barrier height and the ideality factor and non-linearity in the Richardson plot at low temperatures. These results were interpreted according to model of Chand and Kumar. The junction revealed the existence of two Gaussian distributions of the barrier height, with mean barrier heights of 0.88 and 1.12 eV and standard deviations of 0.098 and 0.132 eV and Richardson constant of 0.5 × 106 and 0.9 × 106 A m−2 K−2 for the temperature intervals 120-200 and 200-400 K, respectively. The polycrystalline diamond matrix is composed of two distinct phases of microcrystals and amorphous carbon and each Gaussian distribution was related to one of these phases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 6, 3 January 2011, Pages 2015-2019
نویسندگان
,