کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11009394 | 1828230 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Data related to the nanoscale structural and compositional evolution in resistance change memories
ترجمه فارسی عنوان
داده های مربوط به تکامل ساختاری و ترکیبات نانو در خاطرات تغییر مقاومت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
The data included in this article provides additional supplementary information on our recent publication describing “Inducing tunable switching behavior in a single memristor” [1]. Analyses of micro/nano-structural and compositional changes induced in a resistive oxide memory during resistive switching are carried out. Chromium doped strontium titanate based resistance change memories are fabricated in a capacitor-like metal-insulator-metal structure and subjected to different biasing conditions to set memory states. Transmission electron microscope based cross-sectional analyses of the memory devices in different memory states are collected and presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Data in Brief - Volume 21, December 2018, Pages 18-24
Journal: Data in Brief - Volume 21, December 2018, Pages 18-24
نویسندگان
Taimur Ahmed, Sumeet Walia, Edwin L.H. Mayes, Rajesh Ramanathan, Paul Guagliardo, Vipul Bansal, Madhu Bhaskaran, J. Joshua Yang, Sharath Sriram,