کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11030963 | 1646110 | 2018 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An analytical model for the electron effective mobility in a strained silicon inversion layer
ترجمه فارسی عنوان
یک مدل تحلیلی برای تحرک موثر الکترون در یک لایه انحصاری سیلیکن تحت فشار
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
مدل تحلیلی، تحرک الکترونی، لایه درونی محکومیت کوانتومی، سویه تاثیر می گذارد،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
چکیده انگلیسی
An electron effective mobility analytical model without empirical parameters is investigated for the strained silicon inversion layer, which can be conveniently applied by device and circuit designers. Four kinds of scattering mechanisms, i.e., coulomb scattering, acoustic phonon scattering, intervalley phonon scattering and surface roughness scattering, are taken into account to calculate the electron mobility for the 2D (two-dimensional) inversion layer through a one-dimensional inverse transform. Considering the quantum confinement and strain effect, the valley electron occupancy variation is dissected. In regard to the Si/(001)Si1âxGex and Si/(110)Si1âxGex Si common orientation, the dependence of the electron effective mobility with various Ge content on the inversion charge density is analyzed in detail, and by means of this the mechanism of the mobility enhancement under different situations and the mobility saturation are brought to light.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chinese Journal of Physics - Volume 56, Issue 5, October 2018, Pages 2095-2103
Journal: Chinese Journal of Physics - Volume 56, Issue 5, October 2018, Pages 2095-2103
نویسندگان
Wang Xiao-Yan, Xu Xiao-Bo, Wang Hui-Feng,