کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
1418663 986010 2004 5 صفحه PDF 5 صفحه WORD دانلود کنید
عنوان انگلیسی مقاله
Fabrication of carbon nanotube field effect transistors by AC dielectrophoresis method
ترجمه فارسی عنوان
ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC
کلمات کلیدی
فهرست مطالب مقاله
چکیده
مقدمه
رسوب نانولوله های کربنی
فرآیند تفکیک لوله متالیکی
نتایج و بحث و بررسی
نتیجه گیری
ترجمه چکیده
نانولوله های کربنی تک جداره (SWNTs) معلق در الکل ایزوپروپیل بین دو الکترود به روش در الکتروفورسیز AC جای گرفته اند. تعداد SWNTهای اتصال دهنده دو الکترود توسط غلظت SWNT معلق و زمان رسوب کنترل می شود. از طریق احتراق انتخابی SWNT متالیک با اکسیداسیون حاصل شده جریان، نانولوله های کربنی بازگشت به گیت موجب اثرگذاری بر ترانزیستورها (CNTFET) با جریان کانالی نسبت روشن – خاموش بیش از شده و بطور موفقیت آمیز ساخت آن را در پی داشته اند. میزان موفقیت CNTFET ها در 20 نمونه برابر 60 درصد است. این نتایج نشان می دهد که روش جاگذاری دی الکتروفورسیز AC یک تکنیک کارآمد برای ساخت CNTFET با انعطاف پذیری کنترل اتصال مجدد CNT، طول و جهت آن می باشد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی انرژی (عمومی)
چکیده انگلیسی
Single wall carbon nanotubes (SWNTs) suspended in isopropyl alcohol have been placed between two electrodes by AC dielectrophoresis method. The number of SWNTs bridging the two electrodes is controlled by SWNT concentration of the suspension and deposition time. Through selectively burning off the metallic SWNTs by current induced oxidation, the back-gate carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs) with a channel current on–off ratio of up to 7 × 105 have been successfully fabricated. The success rate of the CNTFETs in 20 samples is 60%. These results suggest that AC dielectrophoresis placement method is an efficient technique to fabricate CNTFETs with some flexibilities of controlling CNT reconnection, length and orientation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Carbon - Volume 42, Issue 11, 2004, Pages 2263–2267
نویسندگان
, , , ,