کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1785365 1023378 2016 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of degradation in bulk lifetime of n-type silicon wafer due to oxidation of boron-rich layer
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه تنزلدر طول عمر بالک ویفر سیلیکون نوع n بدلیل اکسید شدن لایه غنی از بورون
کلمات کلیدی
منبع B اسپینی، لایه غنی از بورون، طول عمر بالک، ناخالصی فلز، اکسیداسون
فهرست مطالب مقاله
چکیده

کلمات کلیدی

1.مقدمه

۲. آزمایش

۳. نتایج و بحث

۴. نتیجه
ترجمه چکیده
روش‌های مختلف نفوذ بورون (B) برای ساخت سلول‌های خورشیدی سیلیکونی نوع n بررسی شده‌اند. اکسید حرارتی اغلب برای حذف لایه غنی از بورون (BRL) استفاده شده‌است که به عنوان یک محصول جانبی از نفوذ B تشکیل شده‌است زیرا BRL با روکش کاری سطح گسیل‌گر بورون تداخل می‌کند. با این حال، اکسید کردن BRL می‌تواند موجب تنزلبرجسته طول عمر بالک شود. در این مقاله، میکروسکوپ الکترونی با وضوح بالا (HREM) برای شناسایی وجود BRL پس از نفوذ B و حذف آن پس از اکسیداسیون متعاقب استفاده شد. علاوه‌براین، طول عمر بالک سیلیکون نوع n با BRL پس از شرایط مختلف اکسیداسیون برای بررسی روش‌ مند سازوکار تنزلطول عمر ناشی از اکسیداسون در سیلیکون نوع n اندازه‌گیری شد. تحلیل دقیق نمونه‌های اکسید شده نشان داد که آهن (Fe) عمده ناخالصی فلز است که عهده‌دار تنزلطول عمر بالک پس از اکسیداسیون است. این به این دلیل اتفاق می‌افتد که Fe پس از نفوذ B و در طی اکسیداسیون در BRL گیر می‌افتد، وقتی BRL مصرف شد، Fe برای تنزلطول عمر درون بالک می‌رود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش مقاله
مطالعه تنزلدر طول عمر بالک ویفر سیلیکون نوع n بدلیل اکسید شدن لایه غنی از بورون
چکیده انگلیسی

Various boron (B) diffusion techniques are being investigated to fabricate n-type Si solar cells. Thermal oxidation is often used to remove boron-rich layer (BRL) formed as a byproduct of B diffusion because BRL interferes with surface passivation of boron emitter. However, oxidizing the BRL can cause significant degradation in bulk lifetime. In this paper, high resolution electron microscopy (HREM) was performed to detect the presence of BRL after B diffusion and its removal after subsequent oxidation. In addition, bulk lifetime of n-type Si with BRL was measured after various oxidation conditions to systematically investigate the mechanism of oxidation-induced lifetime degradation in n-type Si. Detailed analysis of the oxidized samples revealed that iron (Fe) is primary metal impurity responsible for the bulk lifetime degradation after oxidation. This happens because Fe is gettered in BRL after B diffusion and during the oxidation, when the BRL is consumed, Fe is released into the bulk to degrade lifetime.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 16, Issue 5, May 2016, Pages 497–500
نویسندگان
, , , ,