کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970843 | 1450303 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characterization of top-gated molybdenum disulfide field-effect-transistors with high-k dielectrics
ترجمه فارسی عنوان
خصوصیات الکتریکی از میدان مغناطیسی مولکولی دیسولفید بالا با دی الکتریک بالا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 190-193
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 190-193
نویسندگان
Pavel Bolshakov, Peng Zhao, Angelica Azcatl, Paul K. Hurley, Robert M. Wallace, Chadwin D. Young,