کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4971107 1450313 2017 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparative study of SML electron beam resist characteristics with different developers
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Comparative study of SML electron beam resist characteristics with different developers
چکیده انگلیسی
Scanning electron microscopy images of SML liftoff results for dense (left) and larger grating period (right) using ZED-N50 developer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 168, 25 January 2017, Pages 62-66
نویسندگان
, , , ,