کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971632 | 1450524 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Protective nanometer films for reliable Cu-Cu connections
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
As an indicator of degradation, the oxidation of the Cu surface was used. It could be shown that a C layer provides a much better protective effect than a Pt layer. Besides very local sporadically distributed Cu oxide grains, a gradual degradation of the protective carbon film was not even observable at the nanoscale for a stress temperature of 200 °C and layer thicknesses down to 3 nm. In contrast, with a 10 nm thick Pt film the Cu surface exhibits already at a stress temperature of 150 °C locally grown Cu oxide grains. The introduced carbon coating passivation of Cu surfaces has the potential of being a key technique for a reliable Cu-Cu wire bonding.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 383-389
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 383-389
نویسندگان
Tobias Berthold, Guenther Benstetter, Werner Frammelsberger, Manuel Bogner, Rosana RodrÃguez, Montserrat NafrÃa,