کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5005995 | 1461378 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sb-implanted ZnO ultra-thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Mild heating of the Zn(C5F6HO2)2·2H2O·CH3(OCH2CH2)2OCH3 precursor allowed MOCVD deposition of ZnO films, in a low-pressure horizontal hot-wall reactor, on ITO substrates. The ZnO films were subsequently implanted with Sb ions. XRD measurements provided evidence that they consist of hexagonal, (002) and (101) oriented, crystals. UV-vis spectra showed that the transmittance of these films in the visible region is about 90%. The Sb implanted ZnO film showed a current-voltage characteristic that resembles that of a rectifying diode. This study represents the first example of Sb-implantation in ZnO films obtained by MOCVD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 69, October 2017, Pages 32-35
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 69, October 2017, Pages 32-35
نویسندگان
Salvatrice Millesi, Maria Rita Catalano, Giuliana Impellizzeri, Isodiana Crupi, Graziella Malandrino, Francesco Priolo, Antonino Gulino,