کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5006169 1461385 2017 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing
چکیده انگلیسی
This paper reviews recent work highlighting the potential of LTA as an enabler for next generation technologies covering a wide range of applications from Logic to Nano-Electro-Mechanical Systems (NEMS) and 3D sequential integration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 62, May 2017, Pages 92-102
نویسندگان
, , , , ,