کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5444570 | 1511111 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A comparison study of boron emitter passivation by silicon oxide and a PECVD silicon nitride stack
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The results show that the optimum passivation is achieved by a stack layer of a thermal SiO2, with a thickness of at least 10 nm, and a SiNX layer with a low refractive index. The chemical composition of SiNX capping layer plays an important role for surface passivation. A more Si-rich SiNX layer show significant degradation in surface passivation of the stack, due to the increase in the density of interface states (Dit) and fixed positive charges (Qtot) at the interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 124, September 2017, Pages 288-294
Journal: Energy Procedia - Volume 124, September 2017, Pages 288-294
نویسندگان
Barbora Mojrová, Haifeng Chu, Christop Peter, Pirmin Preis, Jan Lossen, Valentin D. Mihailetchi, Radovan Kopecek,