کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544700 | 871777 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Adding a self-reset feature to the Bulk-BICS with dynamic storage cell
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This work presents a study of the effects of the leakage currents in the control transistors of a dynamic storage cell intended to be used with Bulk-BICS circuits. A means to introduce a controlled discharge current to the storage element is presented, making the dynamic storage cell stable in the reset-state at rest. This self-reset feature allows eliminating the recurrent reset pulse necessary in the previous version for stabilization of the memory cell. A reduction in the current consumption when the circuit is idle is also achieved with this technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issue 12, Part B, December 2015, Pages 2748–2753
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issue 12, Part B, December 2015, Pages 2748–2753
نویسندگان
Alexandre Simionovski, Gilson Wirth,