کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5462551 1517177 2018 15 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanosecond laser induce size-controllable SiGe islands with high Ge composition, large aspect ratio and defect-free characteristics
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Nanosecond laser induce size-controllable SiGe islands with high Ge composition, large aspect ratio and defect-free characteristics
چکیده انگلیسی
In the present work, laser-induced directed dewetting (LIDD) of amorphous germanium thin films generates single crystalline SiGe islands on Si substrate. Furthermore, SiGe islands with a high aspect ratio of 1.06 are prepared by pulse laser irradiation. Variation of the nanosecond heating laser's pulse fluence enables modulation of the nanoscale island size, and the diameter of islands can be selected in the range of 40 nm-150 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 211, 15 January 2018, Pages 250-253
نویسندگان
, , , , , ,