Temperature dependence of defect mode in band structures of the one-dimensional photonic crystal

با استفاده از روش گسترش انفجار هوایی، اثر تغییر دما و ضخامت نقص در یک کریستال فوتونی یک بعدی که شامل لیترهای متناوب سیلیکون و هوا در سازه های باند است مورد بررسی قرار گرفته است. شاخص شکست لایه های سیلیکونی به عنوان تابعی از درجه حرارت و طول موج گرفته می شود. مشخص شده است که حالت نقص در شکاف فرکانس ممنوعه در سازه های باند وجود دارد. نشان داده شده است که افزایش دما منجر به تغییر شکل حالت نقص در ساختار باند در فرکانس های پایین به علت افزایش کنتراست شاخص شکست می شود.