کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729145 | 1461413 | 2015 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Kinetics of light-induced degradation in compensated boron-doped silicon investigated using photoluminescence and numerical simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We use photoluminescence to observe light-induced degradation in silicon in real time. Numerical simulations are used to match our results and lifetime decay data from the literature with theoretical models for the generation of the light-induced boron–oxygen defects. It is found that the existing model of the slowly generated defect SRC, where its saturated concentration is a function of the majority carrier concentration, does not explain certain results in both p- and n-type samples. A new model is proposed in which the saturated SRC concentration is controlled by the total hole concentration under illumination.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 33, May 2015, Pages 49–57
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 33, May 2015, Pages 49–57
نویسندگان
K. Fraser, D. Blanc-Pelissier, S. Dubois, J. Veirman, M. Lemiti,