کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747922 | 1462234 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Integration aspects of strained Ge pFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Strained Ge channel PFETs have the potential to outperform state-of-the-art strained Si channel PFETs. This paper describes the integration aspects for strained Ge channel devices based on TCAD simulations and experimental observations. The most scalable way of introducing channel stress is by the use of Si1−xGex strain relaxed buffers (SRB) and/or high Ge-content source/drain stressors, selectively grown in STI. Reduction of the thermal budget, damage and Ge loss during subsequent processing are key to maintain the high strain in the Ge channel till the end of processing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 98, August 2014, Pages 7–11
Journal: Solid-State Electronics - Volume 98, August 2014, Pages 7–11
نویسندگان
L. Witters, G. Eneman, J. Mitard, B. Vincent, A. Hikavyy, A.P. Milenin, S. Mertens, A. Thean, N. Collaert,