کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7887280 1509788 2018 27 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Relaxation of residual microstress in reaction bonded silicon carbide
ترجمه فارسی عنوان
استحکام میکرواسترکز باقی مانده در کاربید سیلیکون واکنش
کلمات کلیدی
کامپوزیت سیلیکون کاربید، سیلیکون،
ترجمه چکیده
خنک سازی با دمای بالا میکرو استرس باقی مانده در فاز سیلیکون و کاربید سیلیکون را در واکنش یکپارچه واکنش سیلیکون کاربید و در ماتریس کامپوزیت های ذوب ناپایدار کاربید سیلیکون تقویت شده با فیبرهای کاربید سیلیکون را کاهش می دهد. استراحت آرامش مربوط به خزش کربید سیلیکون با شاخص قدرت خزش حالت شبیه به خزش کششی در واکنش سیلیکون کاربید اتصال است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش مقاله
استحکام میکرواسترکز باقی مانده در کاربید سیلیکون واکنش
چکیده انگلیسی
High temperature annealing reduces the residual microstress in the silicon phase and silicon carbide phase in monolithic reaction bonded silicon carbide and in the matrix of melt-infitrated composites of silicon carbide reinforced with silicon carbide fibers. Stress relaxation is related to creep of the silicon carbide with power-law creep exponents similar to tensile creep in reaction bonded silicon carbide.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 44, Issue 10, July 2018, Pages 11745-11750
نویسندگان
, ,