کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7888611 1509796 2018 23 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A perspective on non-stoichiometry in silicon carbide
ترجمه فارسی عنوان
یک چشم انداز در غیر استویشیومتری در کاربید سیلیکون
کلمات کلیدی
سرامیک، کاربید سیلیکون، غیر استویشیومتری،
ترجمه چکیده
سرامیک غیر استویشیومتری مواد شگفت انگیز هستند که توانایی ارائه برنامه های کاربردی را دارند که با استفاده از همتاهای استئوکیومتری دیگر قابل دستیابی نیستند. این مواد در مناطق وسیعی از جمله ابررسانایی، اپتیکی، مغناطیسی، الکترونیکی، ساختاری، مکانیکی و حمل و نقل کاربرد داشته است. استواچیومتری از نوع انحرافی در تعداد زیادی ترکیبات، گرچه معمولا اجتناب می شود، منافع متعددی دارد؛ با افزایش هدایت یونی، ارائه تغییرات ساختاری باند، ایجاد پارامغناطیس به انتقال فرومغناطیسی، کاهش مقاومت مغناطیسی، افزایش مقاومت مکانیکی، افزایش بهره وری الکتروشیمیایی و غیره با توجه به سهم امیدوار کننده کاربید سیلیکون در خانواده مواد سرامیک، این بررسی پیامدهای غیر استایشیومتری و خواص آن. غیر استوشیومتری ناخواسته یا هدفمند تولید شده به شدت تحت تاثیر شرایط سنتز قرار می گیرد و برای کاربید سیلیکن رشد شده در پلیت های آمورف، بلورین، پلی کریستالی، به شکل سطوح فله، سطوح و ساختارهای کم بعدی متفاوت است. چشم انداز تنظیم خواص سیلیسیم کاربید بر اساس ساخت غنی از سیلیکون و کربن غنی از طریق نظارت بر نسبت سیلیکن به کربن در جزئیات مورد بحث قرار می گیرد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
The non-stoichiometric ceramics are amazing materials with potential to offer applications that are unachievable by using otherwise ideal stoichiometric counterparts. These materials have contributed in wide areas including superconductivity, optical, magnetic, electronic, structural, mechanical and transport applications. The deviation form stoichiometry in a large number of compounds, though usually avoided, has numerous benefits; by increasing ionic conductivity, offering band structure modifications, causing paramagnetic to ferromagnetic transitions, reducing magnetoresistance, increasing mechanical strength, enhancing electrochemical efficiency etc. Keeping in mind the promising contributions of silicon carbide among family of ceramic materials, this review highlights the implications of non-stoichiometry and its properties. The non-stoichiometry produced unintentionally or purposefully is strongly influenced by synthesis conditions and varies for silicon carbide grown in amorphous, crystalline, polycrystalline polytypes in the form of bulk, surfaces and low dimensional structures. The prospects of tuning the properties of silicon carbide on the basis of fabrication of silicon rich and carbon rich by monitoring silicon to carbon ratio are discussed in detail.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 44, Issue 2, 1 February 2018, Pages 1277-1283
نویسندگان
,