کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8024662 | 1517551 | 2017 | 33 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microstructure of gas flow sputtered thermal barrier coatings: Influence of bias voltage
ترجمه فارسی عنوان
ریزپردازنده از جریان گاز پراکنده پوشش های حرارتی: تاثیر ولتاژ تعصب
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
جریان گاز پاشش، اسپری واکنش پذیر، یتوریا زیرکونیا را تثبیت کرد، پوشش های مانع حرارتی، دمای پایه، ولتاژ اختلال، مرفولوژی، ریز ساختار، جهت گیری دانه،
Gas flow sputtering - جریان گاز پاششGrain orientation - جهت گیری دانهsubstrate temperature - دمای سوبستراMicrostructure - ساختار(بافت) ذره ای و کوچکMorphology - مورفولوژی(ریخت شناسی)Bias voltage - ولتاژ اختلالreactive sputtering - پرتوی واکنش پذیرThermal barrier coatings - پوشش سد حرارتی یا پوشش محافظ حرارتYttria stabilized zirconia - یتریا زیرکونیا را تثبیت کرد
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
The application of a negative bias voltage enhances the surface mobility of the film-forming adatoms and can cause densification due to atom displacements, resputtering or channeling phenomena. Moderate bias voltages up to â 40 V result in more regular columns and a lower porosity. For high bias voltages (â 100 V), the densification effects seem to dominate leading to fully dense coatings with residual stresses up to â 2.5 GPa and no preferential grain orientation, rendering this bias value unsuitable for thermal barrier coatings.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 332, 25 December 2017, Pages 22-29
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 332, 25 December 2017, Pages 22-29
نویسندگان
N. Rösemann, K. Ortner, J. Petersen, M. Bäker, G. Bräuer, J. Rösler,