کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8033049 | 1517966 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Smooth epitaxial copper film on sapphire surface suitable for high quality graphene growth
ترجمه فارسی عنوان
فیلم مس اپیتاکسال صاف در سطح یاقوت کبود مناسب برای رشد گرافن با کیفیت بالا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Graphene, a two-dimensional material, can be grown on a metal substrate using chemical vapor deposition - this growth process is notably influenced by the crystal orientation and the roughness of the substrate surface. We prepared epitaxial Cu(111) films on sapphire substrates using thermal evaporation at various substrate temperatures and studied their crystal orientation and roughness. The well crystallized Cu(111) film with a smooth surface was obtained when the substrate was maintained at 473Â K during the deposition. High quality graphene with few intrinsic defects was grown on this Cu film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 646, 31 January 2018, Pages 12-16
Journal: Thin Solid Films - Volume 646, 31 January 2018, Pages 12-16
نویسندگان
Tao Ma, Hiroko Ariga, Satoru Takakusagi, Kiyotaka Asakura,