کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8160358 1525106 2018 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling the strain impact on refractive index and optical transmission rate
ترجمه فارسی عنوان
مدل سازی تاثیر کرنش بر شاخص شکست و سرعت انتقال نوری
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
ما یک رویکرد مدل سازی جدید و ساده برای تاثیر کرنش بر سرعت انتقال و انعکاس دستگاه های نیمه هادی ارائه می دهیم. این مدل برای نانولوله های گرافن یا کربنی که در زیر زمین قرار دارند، اعمال می شود. هر گونه تغییر سرعت انتقال توسط فشار می تواند به طور مستقیم بر تراکم جریان اتصال کوتاه یک دستگاه الکترونیکی تاثیر می گذارد. نانولوله های گرافن و نانولوله ها به عنوان جایگزینی عالی برای مخاطبین فلز معمولی استفاده می شود. با این حال، این نانولوله ها به درون دشت و دریچه ای غیر مستقیم حساس هستند. نشان داده شده است که نرخ انتقال به طور قابل توجهی توسط فشار کاهش می یابد. ما همچنین تغییر در شاخص شکست را تحت فشار درون ساده و تغییرات پس از آن در میزان بازتابی محاسبه کردیم. مدل سازی را می توان برای محاسبه تغییر در شاخص انکسار در زیر سویه های ساده. علاوه بر این، می تواند تغییر در تراکم جریان اتصال کوتاه دستگاه کامل (یعنی سلول خورشیدی) در زیر سویه های ساده یا غیر معمول را محاسبه کند. یک نتیجه عملی از رویکرد مدل سازی ما این است که ضخامت یا غلظت نانولوله های گرافنی و کربن را به اندازه ای که به هر گونه فشار ترمو مکانیکی حساس است، بهینه سازی کنیم. این باعث می شود خواننده به فشار تکنیک های تنظیم که به ندرت به سنسورها، سلول های خورشیدی و یا دستگاه های دستگاه عکاسی فوتون از طریق ساخت و پردازش مشخص می شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
We propose a new and simple modeling approach for strain impact on the transmission and reflection rate of semiconductor devices. The model is applied to graphene or carbon nanotubes deposited on substrates. Any change in transmission rate by strain can directly impact on the short-circuit current density of an electronic device. The nanolayers of graphene and nanotubes are often used as the excellent replacement for the conventional metallic contacts. However, these nanolayers are sensitive to in-plain and out-plain strain. It is shown that the transmission rate is significantly reduced by the strain. We have also calculated the change in the refractive index under in-plain strain and the consequent change in reflection rate. The modeling can be extended to calculate the change in the refractive index under out-plain strain. Furthermore, one can calculate the change in short-circuit current density of the full device (i.e. solar cell) under in-plain or out-plain strains. A practical outcome of our modeling approach is to optimize the thickness or concentration of graphene and carbon nanotube to en extent which is less sensitive to any thermo-mechanical strain. This leads the reader to strain tuning techniques which are rarely applied to sensors, solar cells or photodetector devices through fabrication and characterization process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 543, 15 August 2018, Pages 14-17
نویسندگان
, , , ,