Investigation of nitrogen incorporation into manganese based copper diffusion barrier layers for future interconnect applications

نشان داده شده است که سیلیکات منگنز یک لایه مانع از نفوذ مسی برای اتصال به پتانسیل بالقوه متال - اکسید نیمه هادی است، اما با توجه به چسبندگی فلزی نازک به فیلم، مسائل مطرح می شود. در این کار، طیف سنجی فوتوالکترهای اشعه ایکس برای به طور سیستماتیک بررسی اثر ترکیب نیتروژن در فیلم های مبتنی بر منگنز از نظر شیمی در سطح و چسبندگی مس پس از رسوب قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که در حالی که تمام فیلم های منگنز به شدت اکسایش می شوند و رسوب کردن فیلم های نازک منیزیم منیزیم منفرد بسیار دشوار است، فیلم های اکسید منگنز حاوی مقادیر کمی نیتروژن باعث بهبود چسبندگی مس به دی الکتریک زیرین می شود. علاوه بر این، نشان داده شده است که ترکیب نیتروژن در فیلمهای منگنز مانع تشکیل سیلیکات منگنز در رابط دی الکتریک نمی شود.