| Article ID | Journal | Published Year | Pages | File Type | 
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| 10265364 | Comptes Rendus Chimie | 2005 | 8 Pages | 
Abstract
												Comportement de type n et p du clathrate de silicium dopé à l'or, Ba8AuxSi46-x (x = 5.4 et 5.9). Deux échantillons du clathrate de silicium dopé à l'or, Ba8AuxSi46-x, ont été synthétisés à partir des éléments à haute température, l'un sans traitement ultérieur (désigné par AG, pour as grown) et l'autre après recuit dans un tube de silice (désigné par A pour annealed). Une étude structurale sur monocristal des deux échantillons a montré que la valeur x du taux de substitution en or est respectivement de 5,4 et de 5,9. Les deux échantillons ont été caractérisés par des mesures du coefficient de Seebeck et de la conductivité électrique, ainsi que par spectroscopie de RMN MAS du 29Si. L'échantillon AG se comporte comme un semi-conducteur de type n, proche d'un métal, alors que l'échantillon A présente un caractère métallique de type p. Les spectres de RMN indiquent qu'il existe une importante contribution à la conductivité des orbitales Si(3s) du silicium au niveau de Fermi. Pour citer cet article : N. Jaussaud et al., C. R. Chimie 8 (2005).
											Related Topics
												
													Physical Sciences and Engineering
													Chemical Engineering
													Chemical Engineering (General)
												
											Authors
												Nicolas Jaussaud, Pierre Gravereau, Stanislas Pechev, Bernard Chevalier, Michel Ménétrier, Patrice Dordor, Rodolphe Decourt, Graziella Goglio, Christian Cros, Michel Pouchard, 
											