Nanometric artificial structuring of semiconductor surfaces for crystalline growth

Le couplage de méthodes classiques d'auto-organisation avec des nanostructurations artificielles de surfaces s'est récemment avéré être une excellente technique dans les matériaux semi-conducteurs pour contrôler simultanément la taille, la densité et la position de nanostructures épitaxiées. Certains aspects physiques concernant l'ingénierie de la morphologie et de la contrainte élastique sont passés en revue dans cet article. L'accent est mis sur les effets de capillarité, d'anisotropie de la vitesse de croissance, de relaxation de contrainte et d'entropie de mélange pour les alliages. L'interaction entre ces différentes forces motrices est illustrée en premier par la croissance de composés de semi-conducteurs III-V sur des surfaces obtenues par lithographie, puis par la croissance de germanium sur des substrats implantés et sur des surfaces nanostructurées obtenues par attaque chimique de réseaux de dislocations enterrées. Pour citer cet article : J. Eymery et al., C. R. Physique 6 (2005).