Comprehension of the S(V)LS mechanism growth of silicon-based nanowires

Par une approche thermodynamique, nous proposons un mécanisme de croissance des nanofils semiconducteurs à base de silicium par le procédé dit solide-liquide-solide. La force motrice nécessaire à la précipitation et donc à la formation du nanofil est la sursaturation. Nous montrons pour la première fois qu'elle ne provient pas de la diffusion du silicium du wafer dans la gouttelette d'or, mais de l'existence de l'espèce SiO résultant de l'équilibre métastable SiO2, amorphe/Si wafer. Notre modèle prévoit l'existence d'un rayon limite des nanofils dits de première génération de l'ordre de 10 nm. Les nanofils dits de génération suivante, d'un rayon inférieur, pourront être engendrés par les nouveaux équilibres métastables SiO2, amorphe/Sinanofil.