THz emission from semiconductor surfaces

We provide a review of experimental and theoretical work on electromagnetic terahertz pulse emission from semiconductor surfaces excited by femtosecond laser radiation. The main terahertz emission mechanisms are analysed. The terahertz emission from InAs and Ge is explained by the photo-Dember effect and electric field induced optical rectification. Electronic band structure and carrier scattering mechanisms are investigated by means of terahertz emission and absorption spectroscopy in InAs, InSb and Ge. To cite this article: V.L. Malevich et al., C. R. Physique 9 (2008).

RésuméNous présentons une revue des travaux expérimentaux et théoriques consacrés à l'émission de rayonnement térahertz par des surfaces de matériaux semi-conducteurs éclairées par des impulsions lasers de durée femtoseconde. Les principaux mécanismes d'émission THz sont analysés. L'émission THz rayonnée par InAs et Ge est due à l'effet Dember optique associé à du redressement optique. Nous étudions la structure de bande électronique et les phénomènes de relaxation des porteurs libres dans InAs, InSb et Ge, en analysant cette émission THz de surface ainsi que des résultats de spectroscopie THz d'absorption. Pour citer cet article : V.L. Malevich et al., C. R. Physique 9 (2008).