Emission of terahertz radiation from two-dimensional electron systems in semiconductor nano-heterostructures

This article reviews recent advances in emission of terahertz radiation from two-dimensional (2D) electron systems in semiconductor nano-heterostructures. 2D plasmon resonance is first presented to demonstrate intense broadband terahertz emission from InGaP/InGaAs/GaAs material systems. The device structure is based on a high-electron mobility transistor and incorporates the author's original interdigitated dual-grating gates. The second topic focuses on graphene, a monolayer carbon-atomic honeycomb lattice crystal, exhibiting unique carrier transport and optical properties owing to the massless and gapless energy spectrum. Coherent stimulated terahertz emission from femtosecond infrared-laser pumped epitaxial graphene is experimentally observed, reflecting the occurrence of negative dynamic conductivity and population inversion.

RésuméCet article passe en revue des progrès récents dans l'émission de rayonnement térahertz par des systèmes électroniques bidimensionnels (2D) dans des dispositifs à nano-hétérostructures de semi-conducteurs.L'article débute par une description de la résonance plasmonique 2D qui permet une intense émission térahertz à large bande dans les systèmes InGaP/InGaAs/GaAs. Le dispositif est basé sur un transistor à haute mobilité électronique et inclut des grilles à doubles réseaux interdigités inventées par les auteurs. On s'intéresse ensuite au graphène, monocouche de carbone de maille hexagonale, dont les propriétés de bande interdite et masse effective nulles conduisent à des propriétés optiques et de transport électrique très particulières. On a observé expérimentalement une émission térahertz cohérente par du graphène épitaxié stimulé par un laser infrarouge impulsionnel, ce qui indique une conductivité dynamique négative et une inversion de population dans le matériau.