Controlling the growth interface shape in the growth of CdTe single crystals by the traveling heater method

This article presents the results of a numerical simulation study carried out for controlling the growth interface shape in the THM (Traveling Heater Method) growth of CdTe single crystals. Applying different thermal boundary conditions and a crucible rotation, the optimum growth conditions for a desired interface shape were obtained. The simulation results show that by controlling the heat removal at the bottom of the crucible, a flatter (or slightly concave towards the crystal) growth interface can be maintained throughout the growth process. A crucible rotation rate of 5 rpm seems optimal for a favorable growth interface shape. To cite this article: S. Dost, Y.C. Liu, C. R. Mecanique 335 (2007).

RésuméCet article présente les résultats de simulations numériques conduites afin d'examiner l'évolution et le contrôle de l'interface lors de la croissance cristalline du CdTe par la méthode THM. Des conditions de croissance optimales sont identifiées en effectuant des simulations pour une gamme de conditions thermiques aux frontières ainsi que pour différents taux de rotations de l'ampoule. Les résultats montrent qu'un contrôle judicieux du taux d'extraction de chaleur par la base de l'ampoule favorise une croissance en interface plane durant tout le processus. Un taux de rotation optimal de 5 rpm apparaît comme étant optimal pour le maintien d'une interface relativement plane. Pour citer cet article : S. Dost, Y.C. Liu, C. R. Mecanique 335 (2007).