Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Growth from vapor; B1. Ice; A1. Quasi-liquid layer of ice;
مقالات ISI A1 شبیه سازی رایانهای (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Directional solidification; B2. Silicon;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Solidification; A1. Dendrites; A1. Fluid flows; A1. Crystal morphology; A1. Computer simulation;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Fluid flows; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Convection; A1. Seed crystals;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A2. Particle engulfment; B2. Multicrystalline silicon; B3. Solar cells;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Purification; A1. Computer simulation; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting germanium;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Stresses; B3. Solar cells;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Interface; B1. Polycrystalline growth;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Dendrites; A1. Convection; A1. Crystal morphology;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flow; A2. Ingot casting method; B2. Multicrystalline silicon;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Interfaces; A1. Computer simulation; A2. Single crystal growth; B1. Sapphire;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Atomic force microscopy; A1. Computer simulation; A1. Diffusion; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Low-dimensional structures; A1. Morphological stability; A1. Defects; A1. Computer simulation; B1. Nanomaterials;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; Fluid flows; Heat transfer; A2. Edge defined fed film growth; B1. Sapphire; B3. Optics;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Planar defects; A1. Nucleation; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Dendrites; A1. Convection; A1. Crystal morphology;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Growth models; B2 Semiconducting silicon;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Line defects; A1. Stresses; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Directional solidification; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A2. Particle engulfment; B2. Multicrystalline silicon; B3. Solar cells;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Directional solidification; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Computer simulation; A1. Stirring;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Impurities; A1. Crystallization kinetics; A1. Computer simulation; B1. Zinc lactate; B1. Malic acid;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Nucleation; A1. Optical microscopy; A1. Solidification; A2. Microgravity conditions; B1. Alloys; A1. Computer simulation;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A1. Magnetic fields; A1. Stresses; A2. Growth from melt;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Single crystal growth; B1. Aromatic compounds;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting germanium;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A2. Edge defined film fed growth; B1. Sapphire;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A2. Top seeded solution growth; B2. Semiconducting silicon compounds;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Magnetic fields; A2. Traveling heater method growth; A2. Microgravity conditions; B2. Semiconducting II-VI materials;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A2. Particle engulfment; B2. Multicrystalline silicon; B3. Solar cells;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Dislocation; A2. Growth from melt; B1. Silicon
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Heat transfer; A2. Growth from melt; B3. Solar cells
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Doping; A1. Segregation; A2. Micro-pulling-down growth; B1. Oxides;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Heat transfer; A1. Multi-crystalline silicon; A3. Solar cells;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Line defects; A1. Point defects; B2. Semiconducting silicon
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Directional solidification; A1. Computer simulation; A1. Segregation; A1. Single crystal growth; B1. Alloys
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A2. Seed crystals; B3. Solar cells;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A2. Bridgman technique; B1. Cadmium compounds
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Directional solidification; A1. Heat transfer; A1. Computer simulation; A2. Bridgman technique; A2. Location
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B2.Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Dendrites; A1. Directional solidification; A1. Crystal morphology;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Mass transfer, heat transfer; A2. Traveling heater method growth; A2. Traveling solvent zone growth; B2. Semiconducting II-VI materials;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Directional solidification; A1. Particle capture; A1. Phase field; A1. Computer simulation; B1. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Line defects; A1. Stresses; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Mass transfer; Heat transfer; A2. Traveling heater method growth; A2. Traveling solvent zone growth; B2. Semiconducting II-VI materials;
Keywords: A1 شبیه سازی رایانهای; A1. Heat transfer; A1. Crystal morphology; A1. Computer simulation;; A2. Growth from melt; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon