Keywords: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET); Gate-all-around (GAA); Effective diameter; Multi-channel; Propagation delay; Scaling;
مقالات ISI (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Replacement fin processing for III-V on Si: From FinFets to nanowires
Keywords: III-V; FinFet; Gate-All-Around (GAA); Nanowire; InGaAs; MOS;
Design and analysis of Si-based arch-shaped gate-all-around (GAA) tunneling field-effect transistor (TFET)
Keywords: Gate-all-around (GAA); Tunneling field-effect transistor (TFET); Physical design; Design optimization; Low-power (LP)
Analyses of DC and analog/RF performances for short channel quadruple-gate gate-all-around MOSFET
Keywords: Gate-all-around (GAA); Transconductance generation factor (TGF); Intrinsic gain; Cutoff frequency (fT)(fT); Maximum oscillation frequency (fmax)
Investigation of gate length and fringing field effects for program and erase efficiency in gate-all-around SONOS memory cells
Keywords: Gate-all-around (GAA); Silicon nanowire; SONOS; Gate length; Erasing saturation; Low-k; Permittivity; Inter-layer dielectric; Fringing field
Simulation study on effect of drain underlap in gate-all-around tunneling field-effect transistors
Keywords: Gate-all-around (GAA); Tunneling field-effect transistor (TFET); Radio-frequency (RF); Asymmetric junctions; Drain underlap
Minimizing variation in the electrical characteristics of gate-all-around thin film transistors through the use of multiple-channel nanowire and NH3 plasma treatment
Keywords: Multiple-gate; Multiple-channel; Gate-all-around (GAA); Plasma treatment; Thin-film transistors (TFTs); Variation