Keywords: Plasma-enhanced atomic layer deposition; PE-ALD; Thin film; Alumina; Aluminium oxide; Al2O3; Interfacial properties; Physical properties;
مقالات ISI (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: PE-ALD; RF plasma; VHF plasma; Atomic structure; Plasma-induced damage; Al2O3 thin films;
Keywords: PE-CVD; PE-ALD; Ellipsometric porosimetry; Moisture permeation barrier layer; Nanoporosity
Low temperature growth of polycrystalline InN films on non-crystalline substrates by plasma-enhanced atomic layer deposition
Keywords: Indium nitride; Thin films; PE-ALD; Polycrystalline;
Study on SiN and SiCN film production using PE-ALD process with high-density multi-ICP source at low temperature
Keywords: High-power; High-density; Multi-ICP nitrogen plasma; PE-ALD; Low-temperature;
Surface modification of polymeric substrates to enhance the barrier properties of an Al2O3 layer formed by PEALD process
Keywords: Flexible OLED; Polymeric substrate; Barrier; Plasma pretreatment; PE-ALD; Al2O3;
Plasma-enhanced atomic layer deposition of Co using Co(MeCp)2 precursor
Keywords: PE-ALD; Th-ALD cobalt; metal thin films; metal organic precursors
Growth characteristics and electrical properties of La2O3 gate oxides grown by thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition
Keywords: La2O3; High-k gate dielectric; T-ALD; PE-ALD; La(iPrCp)3; Growth characteristics; Electrical properties
Effect of process parameters on surface morphology and characterization of PE-ALD SnO2 thin films for gas sensing
Keywords: 81.15.Gh; 68.55.Jk; 07.07.Df; Thin film; Tin oxide; PE-ALD; Gas sensing;