![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Effect of selenium doping on the crystallization behaviors of GeSb for phase-change memory applications
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی تغییر فاز; Phase-change random access memory; Germanium antimony selenide; Selenium doping; Operation current; Thermal stability; Sputtering;