![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
On the energy distribution of interface states and their relaxation time and capture cross section profiles in Al/SiO2/p-Si (MIS) Schottky diodes
Keywords: زمان استراحت; Interface states; Relaxation time; Capture cross section; High–low frequency; Capacitance method; Conductance method; Insulator layer