Keywords: Ambipolar conduction; Charge plasma; Sub-threshold swing; Gate to drain capacitance; Work function engineering;
مقالات ISI (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Study of metal strip insertion and its optimization in doping less TFET
Keywords: Ambipolar conduction; Work function engineering; Metal strip; Gate to drain capacitance; Band to band tunneling;
Comparative investigation of novel hetero gate dielectric and drain engineered charge plasma TFET for improved DC and RF performance
Keywords: Charge plasma; Band to band tunneling; Ambipolar conduction; Work function engineering; Sub-threshold swing; Gate to drain capacitance;
A compact quasi 3D threshold voltage modeling and performance analysis of a novel linearly graded binary metal alloy quadruple gate MOSFET for subdued short channel effects
Keywords: Double Gate (DG) MOSFET; Quadruple Gate (QG) MOSFET; Work function engineering; Binary metal alloy gate; Quasi 3D scaling equation; Effective number of gate (ENG); Short Channel Effect (SCE); Threshold Voltage Roll-Off (TVRO); Drain Induced Barrier Loweri
Doping characteristics of iodine on as-grown chemical vapor deposited graphene on Pt
Keywords: Graphene; Intercalation; Photoemission microscopy; Work function engineering; Electrodes;
Low-power DRAM-compatible Replacement Gate High-k/Metal Gate Stacks
Keywords: DRAM periphery transistors; RMG (Replacement Metal Gate); Work Function Engineering