کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10128542 1645140 2018 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structures and magnetic properties of (Ni,Al) co-doped 4H-SiC: A first-principles study
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electronic structures and magnetic properties of (Ni,Al) co-doped 4H-SiC: A first-principles study
چکیده انگلیسی
A 3 × 3 × 1 supercell model of 4H-SiC with 72 atoms. One of the two Ni dopants is fixed at the position labeled Ni0, The Si atoms labeled by 1-10 are the sites to be replaced by the other doped Ni atoms.133
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 155, December 2018, Pages 169-174
نویسندگان
, , , , , , , ,