کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10128542 | 1645140 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structures and magnetic properties of (Ni,Al) co-doped 4H-SiC: A first-principles study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A 3â¯Ãâ¯3â¯Ãâ¯1 supercell model of 4H-SiC with 72 atoms. One of the two Ni dopants is fixed at the position labeled Ni0, The Si atoms labeled by 1-10 are the sites to be replaced by the other doped Ni atoms.133
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 155, December 2018, Pages 169-174
Journal: Computational Materials Science - Volume 155, December 2018, Pages 169-174
نویسندگان
Long Lin, Jingtao Huang, Weiyang Yu, Hualong Tao, Linghao Zhu, Pengtao Wang, Zhanying Zhang, Jisheng Zhang,