کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411589 | 894671 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistive memory variability: A simplified trap-assisted tunneling model
ترجمه فارسی عنوان
تنوع حافظه مقاومتی: یک مدل تونل زنی ساده شده توسط تله کمک می کند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
This work presents a model that allows to explain the resistance variability of OxRAM devices, both in high and low resistive states. This model is based on the calculation of a 3D resistance network, using trap assisted tunneling current. The stochastic nature of the resistance is captured by random placement of traps within a specific spatial distribution. The model is able to capture both cycle-to-cycle (temporal) and device-to-device (spatial) variability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 126-132
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 126-132
نویسندگان
Daniele Garbin, Elisa Vianello, Quentin Rafhay, Mourad Azzaz, Philippe Candelier, Barbara DeSalvo, Gerard Ghibaudo, Luca Perniola,