کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411591 | 894671 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
New high resolution Random Telegraph Noise (RTN) characterization method for resistive RAM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. The standard equipment used to analyse RTN has a typical time resolution of â¼2 ms which prevents evaluating fast phenomena. In this work, a new RTN measurement procedure, which increases the measurement time resolution to 2 μs, is proposed. The experimental set-up, together with the recently proposed Weighted Time Lag (W-LT) method for the analysis of RTN signals, allows obtaining a more detailed and precise information about the RTN phenomenon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 140-145
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 140-145
نویسندگان
M. Maestro, J. Diaz, A. Crespo-Yepes, M.B. Gonzalez, J. Martin-Martinez, R. Rodriguez, M. Nafria, F. Campabadal, X. Aymerich,