کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411592 | 894671 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of bias conditions on electrical stress and ionizing radiation effects in Si-based TFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The interplay between electrical stress and ionizing radiation effects is experimentally investigated in Si-based Tunnel Field Effect Transistors (TFETs). In particular, the impact of bias conditions on the performance degradation is discussed. We found that the electrical stress effects in TFETs could not be ignored in radiation tests, since they can possibly overwhelm the radiation-induced degradation. Under this circumstance, the worst-case bias condition for studying radiation effects is not straightforward to be determined when there is an interplay between electrical stress and ionizing radiation effects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 146-151
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 146-151
نویسندگان
Lili Ding, Elena Gnani, Simone Gerardin, Marta Bagatin, Francesco Driussi, Luca Selmi, Cyrille Le Royer, Alessandro Paccagnella,