کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411603 | 894671 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparison of self-heating and its effect on analogue performance in 28Â nm bulk and FDSOI
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work self-heating and its effect on analogue device parameters are compared in 28Â nm technology bulk and FDSOI MOS devices. It is shown that for self-heating characterisation in advanced MOSFETs the RF extraction technique is more suitable than the pulsed I-V. It is found that the thermal resistance is â¼3.4 times higher and the temperature rise is â¼2.5 times higher in 28Â nm gate length FDSOI than in bulk. However, in spite of stronger self-heating, FDSOI devices outperform bulk over a wide frequency range. Moreover, device parameters degradation with temperature is attenuated in FDSOI transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 219-224
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 219-224
نویسندگان
S. Makovejev, N. Planes, M. Haond, D. Flandre, J.-P. Raskin, V. Kilchytska,