کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10411644 894761 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Degradation evaluation of poly-Si TFTs by comparing normal and reverse characteristics and behavior analysis of hot-carrier degradation
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Degradation evaluation of poly-Si TFTs by comparing normal and reverse characteristics and behavior analysis of hot-carrier degradation
چکیده انگلیسی
► We evaluate degradation of poly-Si TFTs by comparing normal and reverse characteristics. ► Symmetrical normal and reverse characteristics indicate Joule-heating degradation. ► Asymmetrical characteristics indicate hot-carrier degradation. ► Degradation occurrence is contrasted between standard and fine TFTs. ► Behavior of the hot-carrier degradation is analyzed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 207-210
نویسندگان
, , , , , , ,