کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411740 | 894788 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of plasma nitridation on ultra-thin gate oxide electrical and reliability characteristics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The gate leakage current and reliability concern become more serious due to the aggressive scaling-down of the gate oxide thickness. In this paper, the gate leakage current reduction and reliability optimization with an EOT 15A plasma nitrided gate oxide were explored. The plasma nitrided oxide fabricated by plasma nitridation process demonstrated good gate leakage reduction and high carrier mobility without sacrificing the reliability performance. The optimization of nitrogen profile and post nitridation annealing has been also discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 1, January 2005, Pages 57-61
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 1, January 2005, Pages 57-61
نویسندگان
Yandong He, Mingzhen Xu, Changhua Tan,