کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411744 | 894788 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of non-uniform heat generation in LDMOS transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This work is devoted to the heat dissipation analysis in LDMOS transistors operating at high current conditions. Hence, a new expression for the Joule heat generated by electron current is provided to simplify the LDMOS electro-thermal modeling, thus giving physical insight and predicting hot spots. The model is based on the semiconductor physics and the required input data are the device geometrical and technological parameters as well as the applied bias.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 1, January 2005, Pages 77-84
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 1, January 2005, Pages 77-84
نویسندگان
J. Roig, D. Flores, J. Urresti, S. Hidalgo, J. Rebollo,