کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411930 | 894841 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design of high-speed 128-bit embedded flash memories allowing in place execution of the code
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A 128-bit data operation, 4 Mb e-flash memory has been designed in a 0.18 μm e-flash process. Read random access to the memory has been decreased down to 20 ns by optimal use of power supply resources and available devices. This memory has two banks of equivalent size allowing read while writing operation for improved application updates, and data management during code execution. Using the pre-fetch buffer concept, in place execution of the code at up to 100 MHz can be obtained in 0.18 μm on a 32-bit MCU.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 11, November 2005, Pages 1867-1874
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 11, November 2005, Pages 1867-1874
نویسندگان
Marylène Combe, Caroline Papaix, Jeanine Guichaoua, Vincent Sialelli, Emmanuel Racape, Jean-Michel Daga,