کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566366 | 972316 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multi-bit organic ferroelectric memory
ترجمه فارسی عنوان
چند بیتی حافظه فیزیکی الکتریکی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
- A non-volatile multi-bit organic ferroelectric memory with binary readout from a simple capacitor structure is introduced.
- The functioning of the device is based on the applicability of the dipole switching theory (DST).
- All basic properties of the device were measured and successfully modeled in the framework of the DST.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 12, December 2013, Pages 3399-3405
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 12, December 2013, Pages 3399-3405
نویسندگان
Vsevolod Khikhlovskyi, Andrey V. Gorbunov, Albert J.J.M. van Breemen, René A.J. Janssen, Gerwin H. Gelinck, Martijn Kemerink,