کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566805 | 972351 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrochemical doping for lowering contact barriers in organic field effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The electrochemical p-doping of pentacene is reversible and stable shown by means of spectro-electrochemistry. ⺠Electrochemical p-doping can be directly applied to a pentacene-based transistor structure. ⺠Electrochemical contact doped transistors show significantly improved performances. ⺠A systematic analysis works out the reduction of contact barriers from the contact doping. ⺠The decrease of contact barriers is explained by the formation of a Mott-Schottky junction between metal and p-doped pentacene
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 8, August 2012, Pages 1296-1301
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 8, August 2012, Pages 1296-1301
نویسندگان
Stefan Schaur, Philipp Stadler, Beatriz Meana-Esteban, Helmut Neugebauer, N. Serdar Sariciftci,