کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10644623 | 999659 | 2005 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Motion of contact line of a crystal over the edge of solid mask in epitaxial lateral overgrowth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Mathematical model that allows for direct tracking of the homoepitaxial crystal growth out of the window etched in the solid, pre-deposited layer on the substrate is described. The growth is governed by the normal (to the crystal-vapor interface) flux from the vapor phase and by the interface diffusion. The model accounts for possibly inhomogeneous energy of the mask surface and for strong anisotropies of crystal-vapor interfacial energy and kinetic mobility. Results demonstrate that the motion of the crystal-mask contact line slows down abruptly as radius of curvature of the mask edge approaches zero. Numerical procedure is suggested to overcome difficulties associated with ill-posedness of the evolution problem for the interface with strong energy anisotropy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 32, Issue 2, February 2005, Pages 203-216
Journal: Computational Materials Science - Volume 32, Issue 2, February 2005, Pages 203-216
نویسندگان
M. Khenner,