کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670800 | 1009008 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Deposition of titanium nitride films onto silicon by an ion beam assisted deposition method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Titanium nitride (TiN) films were deposited onto silicon wafers using an ion beam assisted deposition (IBAD) method with an electron cyclotron resonance (ECR) ion source for ionizing the nitrogen (N2) gas under a condition of high nitrogen ion to titanium neutral ratio. The deposition rate of the TiN films was strongly dependent on the evaporation rate, dTi, of Ti metal and decreased with increasing nitrogen ion current. The deposition rate can be approximated as d=βdTiÏN2/{1/k+ÏN2}âαI, where β, k and α are proportional constants, ÏN2 is the sum rate of neutral and ionized nitrogen impinging onto the substrate, and I is the nitrogen ion current.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 473, Issue 2, 14 February 2005, Pages 340-345
Journal: Thin Solid Films - Volume 473, Issue 2, 14 February 2005, Pages 340-345
نویسندگان
Katsuhiro Yokota, Kazuhiro Nakamura, Tomohiko Kasuya, Katsuhisa Mukai, Masami Ohnishi,