کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1301102 | 1498780 | 2011 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Functionalization of flat Si surfaces with inorganic compounds-Towards molecular CMOS hybrid devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Si surfacesCegIPESUHVOCPWCANHESTMSAMALD - آدرنولکودیستروفیnormal hydrogen electrode - الکترود هیدروژن معمولیInterfacial charge transfer - انتقال شارژ InterfacialDrain current - جریان تخلیهUltra high vacuum - خلاء فوق العاده بالاMolecular devices - دستگاه های مولکولیChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییCVD - رسوب دهی شیمیایی بخار Atomic layer deposition - رسوب لایه اتمیwater contact angle - زاویه تماس آبInverse photoemission spectroscopy - طیف سنجی عکسبرداری معکوسX-ray photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتر اشعه ایکسUltraviolet photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکترون UltravioletXPS - طیف نگاری فوتوالکترونی اشعه ایکسMOSFET - مگسScanning tunneling microscopy - میکروسکوپ تونلی روبشی Cyclic voltammetry - ولتامتری چرخهایThreshold voltage - ولتاژ آستانهOpen circuit potential - پتانسیل مدار بازUPS - یو پی اسSelf assembled monolayer - یکپارچگی خودآموزی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی معدنی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
ⶠWet chemistry techniques for molecular passivation by inorganic species. ⶠModified silicon surfaces for applications such as memory devices. ⶠFT-IR and XPS to extract molecular orientation and composition on Si surfaces. ⶠDetermination of electron transfer rates using electrochemical techniques.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Coordination Chemistry Reviews - Volume 255, Issues 15â16, August 2011, Pages 1587-1602
Journal: Coordination Chemistry Reviews - Volume 255, Issues 15â16, August 2011, Pages 1587-1602
نویسندگان
Steven P. Cummings, Julia Savchenko, Tong Ren,