کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1485776 | 991671 | 2007 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physico-chemical processes in metal–oxide–semiconductor transistors with thick gate oxide during high electric field stress
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A complete study of the defects created in the gate oxide and at the gate oxide/substrate interface of metal–oxide–semiconductor transistors with thick gate oxide (tox > 10 nm) during high electric field stress, and the mechanisms responsible for these defects creation have been given. In addition, some results of positive/negative high electric field stress with constant gate voltage of commercial n-channel power metal–oxide–semiconductor transistors with thick gate oxide of 100 nm, have been explained using this study.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issue 2, 1 February 2007, Pages 170–179
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issue 2, 1 February 2007, Pages 170–179
نویسندگان
Goran S. Ristić, Momčilo M. Pejović, Aleksandar B. Jakšić,