کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1491022 | 992340 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties of vanadium tungsten oxide thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The vanadium tungsten oxide thin films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by RF sputtering exhibited good TCR and dielectric properties. The dependence of crystallization and electrical properties are related to the grain size of V1.85W0.15O5 thin films with different annealing temperatures. It was found that the dielectric properties and TCR properties of V1.85W0.15O5 thin films were strongly dependent upon the annealing temperature. The dielectric constants of the V1.85W0.15O5 thin films annealed at 400 °C were 44, with a dielectric loss of 0.83%. The TCR values of the V1.85W0.15O5 thin films annealed at 400 °C were about −3.45%/K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 45, Issue 3, March 2010, Pages 291–294
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 45, Issue 3, March 2010, Pages 291–294
نویسندگان
Sung-Pill Nam, Hyun-Ji Noh, Sung-Gap Lee, Young-Hie Lee,